近日，8087金沙娱场城杨诚教授课题组提出了一种增加肖特基势垒高度来抑制暗电流、提高开关比的策略，并制备了高性能的光电探测器，相关成果以“Near-Ideal Schottky Junction Photodetectors Based on Semimetal-Semiconductor Van der Waals Heterostructures”为题发表在物理学自然指数期刊《Advanced Functional Materials》(IF = 19)上。8087金沙娱场城为第一署名单位，2019级硕士生王广灿为第一作者，杨诚教授和山东大学王响玲教授为论文通讯作者。
图1. 文章作者及摘要截图
肖特基势垒可通过阻断隧穿电子来抑制光电探测器中的暗电流，但传统的3D金属/2D半导体界面具有较高的费米钉扎效应，使得其界面调控难度较大。在这项工作中，2D半金属1T′-MoTe2被用来和半导体 WS2形成势垒高度可控的范德华异质结构，这种二维材料的范德华集成策略可以有效解决传统3D金属沉积产生的费米钉扎效应。这种肖特基结光电探测器能够实现较低的5×10−13 A µm−1的暗电流密度，并具有106的Ion/Ioff比。另外，通过设计势垒高度，还可以构建自供电光电探测器。
图2. 近理想肖特基势垒光电探测器的设计。
以上研究得到国家自然科学基金、山东省自然科学基金等资助。
文章链接：https://doi.org/10.1002/adfm.202316267
